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线边缘粗糙度控制
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200580013946.0
申请日
:
2005-03-02
公开(公告)号
:
CN101027759A
公开(公告)日
:
2007-08-29
发明(设计)人
:
Y·蔡
H·H·朱
S·李
S·S·康
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L21311
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
杨凯;刘杰
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2007-10-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-29
公开
公开
2009-07-15
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[1]
边缘粗糙度减小
[P].
金艳莎
论文数:
0
引用数:
0
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金艳莎
;
谭忠魁
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谭忠魁
;
崔麟
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崔麟
;
符谦
论文数:
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0
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符谦
;
马丁·沈
论文数:
0
引用数:
0
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马丁·沈
.
中国专利
:CN109216160A
,2019-01-15
[2]
边缘粗糙度减小
[P].
金艳莎
论文数:
0
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0
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
金艳莎
;
谭忠魁
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
谭忠魁
;
崔麟
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
崔麟
;
符谦
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0
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
符谦
;
马丁·沈
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0
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0
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
马丁·沈
.
美国专利
:CN109216160B
,2024-01-30
[3]
使线宽粗糙度和线边缘粗糙度最小化的关键尺寸修整方法
[P].
安热利克·D·雷利
论文数:
0
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安热利克·D·雷利
;
苏巴迪普·卡尔
论文数:
0
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0
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苏巴迪普·卡尔
.
中国专利
:CN110444475A
,2019-11-12
[4]
两步骤植入以改善线边缘粗糙度与线宽粗糙度
[P].
约翰·哈塔拉
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0
引用数:
0
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机构:
应用材料股份有限公司
应用材料股份有限公司
约翰·哈塔拉
;
戴辉雄
论文数:
0
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机构:
应用材料股份有限公司
应用材料股份有限公司
戴辉雄
.
美国专利
:CN120303771A
,2025-07-11
[5]
经由步长更改的线边缘粗糙度降低
[P].
托马斯·L·莱蒂格
论文数:
0
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托马斯·L·莱蒂格
;
约瑟夫·约翰逊
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约瑟夫·约翰逊
;
克里斯多弗·丹尼斯·本彻
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0
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克里斯多弗·丹尼斯·本彻
.
中国专利
:CN108351599A
,2018-07-31
[6]
满足线边缘粗糙度及其他集成目的的等离子体处理方法
[P].
文·梁
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文·梁
;
阿基特若·高
论文数:
0
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0
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阿基特若·高
.
中国专利
:CN108780738A
,2018-11-09
[7]
降低EUV光刻胶图案的线边缘粗糙度的方法
[P].
王新科
论文数:
0
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
王新科
;
沈泽青
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
沈泽青
;
苏米特·辛格·罗伊
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0
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
苏米特·辛格·罗伊
;
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
唐杰丛
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
唐杰丛
;
约翰·苏迪约诺
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
约翰·苏迪约诺
;
马克·萨利
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
马克·萨利
.
美国专利
:CN119422226A
,2025-02-11
[8]
利用光子辅助等离子体工艺改善线边缘粗糙度
[P].
谭忠魁
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谭忠魁
;
徐晴
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0
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徐晴
;
傅乾
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0
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傅乾
;
桑军·帕克
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0
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0
桑军·帕克
.
中国专利
:CN107492512A
,2017-12-19
[9]
一种刻蚀沟槽及通孔线边缘粗糙度优化方法
[P].
陈敏腾
论文数:
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引用数:
0
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机构:
腾云创芯半导体材料(上海)有限公司
腾云创芯半导体材料(上海)有限公司
陈敏腾
;
杨秀静
论文数:
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机构:
腾云创芯半导体材料(上海)有限公司
腾云创芯半导体材料(上海)有限公司
杨秀静
.
中国专利
:CN120164791A
,2025-06-17
[10]
降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法
[P].
吴常明
论文数:
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0
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吴常明
;
陈逸男
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0
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陈逸男
;
刘献文
论文数:
0
引用数:
0
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刘献文
.
中国专利
:CN103021819A
,2013-04-03
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