半导体样本检查的粗糙度估算

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510508310.2

申请日：

2025-04-22

公开(公告)号：

CN120833303A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

P·J-M·J·希瓦利埃 J-F·A·布格隆

申请人：

应用材料以色列公司

申请人地址：

以色列瑞哈佛特市

IPC主分类号：

G06T7/00

IPC分类号：

H01L21/66 G06T7/13 G06T7/70 G06T5/70

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

储思哲;侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体晶片弧面粗糙度检查装置 [P].

孙毅 .

中国专利 :CN115014246A ,2022-09-06

[2]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[3]

降低线边缘粗糙度的半导体结构的制造方法 [P].

吴常明 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103021819A ,2013-04-03

[4]

半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P].

刘晓明 .

中国专利 :CN113380617A ,2021-09-10

[5]

表面粗糙度检查装置 [P].

林义典 ;

森秀树 .

中国专利 :CN101326622A ,2008-12-17

[6]

改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法 [P].

李亮 ;

沈忆华 ;

涂火金 ;

宋化龙 ;

史运泽 .

中国专利 :CN102136415B ,2011-07-27

[7]

一种半导体侧面粗糙度改善方法 [P].

郭振新 .

中国专利 :CN111599672A ,2020-08-28

[8]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[9]

底部粗糙度减小的半导体部件的应力缓冲元件 [P].

亨德里克·胡切斯坦巴赫 .

中国专利 :CN101765913B ,2010-06-30

[10]

一种测量半导体鳍部粗糙度的方法 [P].

曾绍海 ;

左青云 ;

李铭 ;

黄仁东 .

中国专利 :CN108550532B ,2018-09-18

← 1 2 3 4 5 →