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一种半导体晶片弧面粗糙度检查装置
被引:0
申请号
:
CN202210491489.1
申请日
:
2022-05-07
公开(公告)号
:
CN115014246A
公开(公告)日
:
2022-09-06
发明(设计)人
:
孙毅
申请人
:
申请人地址
:
230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-605/606室
IPC主分类号
:
G01B1130
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/30 申请日:20220507
2022-09-06
公开
公开
共 50 条
[1]
改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺
[P].
E·内雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
E·内雷
;
C·马勒维尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C·马勒维尔
;
L·埃卡尔诺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·埃卡尔诺
.
中国专利
:CN1879205B
,2006-12-13
[2]
半导体样本检查的粗糙度估算
[P].
P·J-M·J·希瓦利埃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料以色列公司
应用材料以色列公司
P·J-M·J·希瓦利埃
;
J-F·A·布格隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
应用材料以色列公司
应用材料以色列公司
J-F·A·布格隆
.
:CN120833303A
,2025-10-24
[3]
减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法
[P].
维波·克里斯纳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
维波·克里斯纳
;
迈克尔·S·威斯尼斯基
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
迈克尔·S·威斯尼斯基
;
洛伊斯·伊利希
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
洛伊斯·伊利希
.
中国专利
:CN1117203A
,1996-02-21
[4]
半导体晶片检查装置
[P].
长坂旨俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
长坂旨俊
.
中国专利
:CN3642680D
,2007-05-09
[5]
半导体晶片检查装置
[P].
野口政幸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野口政幸
.
中国专利
:CN3665261D
,2007-07-04
[6]
一种半导体晶片超精密磨削的表面粗糙度预测与控制方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
康仁科
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
高尚
;
王浩祥
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
大连理工大学
大连理工大学
王浩祥
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
董志刚
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
朱祥龙
.
中国专利
:CN120244707A
,2025-07-04
[7]
表面粗糙度检查装置
[P].
林义典
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林义典
;
森秀树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
森秀树
.
中国专利
:CN101326622A
,2008-12-17
[8]
一种半导体侧面粗糙度改善方法
[P].
郭振新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭振新
.
中国专利
:CN111599672A
,2020-08-28
[9]
半导体检查装置、半导体晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中村卓誉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中村卓誉
;
大木博文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
大木博文
;
木村泰广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
木村泰广
;
香月真一郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
香月真一郎
.
日本专利
:CN118817710A
,2024-10-22
[10]
一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
皮孝东
;
钱怡潇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
钱怡潇
;
杨德仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
杨德仁
.
中国专利
:CN117607499A
,2024-02-27
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