改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380110782.4

申请日：

2003-12-03

公开(公告)号：

CN1879205B

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

E·内雷 C·马勒维尔 L·埃卡尔诺

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705984940 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL2003801107824 变更事项:专利权人变更前:S·O·I·TEC绝缘体上硅技术公司变更后:苏泰克公司变更事项:地址变更前:法国贝尔尼变更后:法国贝尔尼
2007-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-13	公开	公开
2010-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

改善晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

E·阿雷纳 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879204B ,2006-12-13

[2]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[3]

一种半导体晶片超精密磨削的表面粗糙度预测与控制方法 [P].

康仁科 ;

高尚 ;

王浩祥 ;

董志刚 ;

朱祥龙 .

中国专利 :CN120244707A ,2025-07-04

[4]

改善硅片表面粗糙度的工艺方法 [P].

蔡来强 .

中国专利 :CN120048724A ,2025-05-27

[5]

一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法 [P].

曾绍海 ;

李铭 .

中国专利 :CN108550526A ,2018-09-18

[6]

用于减小光点缺陷和表面粗糙度的绝缘体上半导体晶片的制造方法 [P].

Q·刘 ;

J·L·利伯特 .

中国专利 :CN105431936B ,2016-03-23

[7]

改善钢管表面粗糙度的方法 [P].

曹献龙 ;

王焕新 ;

王世杰 .

中国专利 :CN111500963A ,2020-08-07

[8]

一种半导体晶片弧面粗糙度检查装置 [P].

孙毅 .

中国专利 :CN115014246A ,2022-09-06

[9]

改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法 [P].

李亮 ;

沈忆华 ;

涂火金 ;

宋化龙 ;

史运泽 .

中国专利 :CN102136415B ,2011-07-27

[10]

改善光刻胶表面粗糙度的方法 [P].

成智国 ;

耿文练 .

中国专利 :CN109062010A ,2018-12-21

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