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改善光刻胶表面粗糙度的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811060348.4
申请日
:
2018-09-12
公开(公告)号
:
CN109062010A
公开(公告)日
:
2018-12-21
发明(设计)人
:
成智国
耿文练
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
G03F716
IPC分类号
:
H01L21027
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/16 申请日:20180912
2022-04-08
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F 7/16 申请公布日:20181221
2018-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法
[P].
许开东
论文数:
0
引用数:
0
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许开东
.
中国专利
:CN107527797B
,2017-12-29
[2]
减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法
[P].
张海洋
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0
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张海洋
;
张城龙
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0
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张城龙
.
中国专利
:CN104345568A
,2015-02-11
[3]
用于控制光刻胶线宽粗糙度的方法及设备
[P].
B·吴
论文数:
0
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0
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B·吴
;
A·库玛
论文数:
0
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0
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A·库玛
.
中国专利
:CN103180932A
,2013-06-26
[4]
改善钢管表面粗糙度的方法
[P].
曹献龙
论文数:
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曹献龙
;
王焕新
论文数:
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王焕新
;
王世杰
论文数:
0
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0
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0
王世杰
.
中国专利
:CN111500963A
,2020-08-07
[5]
降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
[P].
孟令款
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孟令款
;
贺晓彬
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贺晓彬
;
李春龙
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0
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李春龙
.
中国专利
:CN103676491A
,2014-03-26
[6]
改善光刻线条粗糙度的方法
[P].
王岳
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
王岳
;
孙珊珊
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
孙珊珊
;
周红宇
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
周红宇
;
李海涛
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
李海涛
.
中国专利
:CN120540010A
,2025-08-26
[7]
一种低边缘粗糙度的ArF光刻胶树脂及其制备方法
[P].
尹航
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0
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
尹航
;
白千慧
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
白千慧
;
李培源
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
李培源
;
毛智彪
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
毛智彪
;
许从应
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
许从应
.
中国专利
:CN119775481A
,2025-04-08
[8]
降低EUV光刻胶图案的线边缘粗糙度的方法
[P].
王新科
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
王新科
;
沈泽青
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
沈泽青
;
苏米特·辛格·罗伊
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应用材料公司
应用材料公司
苏米特·辛格·罗伊
;
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
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应用材料公司
应用材料公司
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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应用材料公司
应用材料公司
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
唐杰丛
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应用材料公司
应用材料公司
唐杰丛
;
约翰·苏迪约诺
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应用材料公司
应用材料公司
约翰·苏迪约诺
;
马克·萨利
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0
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
马克·萨利
.
美国专利
:CN119422226A
,2025-02-11
[9]
改善晶片的表面粗糙度的工艺
[P].
E·内雷
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E·内雷
;
E·阿雷纳
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E·阿雷纳
;
L·埃卡尔诺
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0
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L·埃卡尔诺
.
中国专利
:CN1879204B
,2006-12-13
[10]
光刻胶去除方法及光刻胶重制方法
[P].
邱靖尧
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邱靖尧
;
谢玟茜
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谢玟茜
;
刘立尧
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刘立尧
;
胡展源
论文数:
0
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0
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0
胡展源
.
中国专利
:CN110581065A
,2019-12-17
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