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一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710702042.3
申请日
:
2017-08-16
公开(公告)号
:
CN107527797B
公开(公告)日
:
2017-12-29
发明(设计)人
:
许开东
申请人
:
申请人地址
:
221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
IPC主分类号
:
H01L21027
IPC分类号
:
H01L2167
代理机构
:
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732
代理人
:
周新楣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20170816
2022-04-05
授权
授权
2017-12-29
公开
公开
共 50 条
[1]
改善光刻胶表面粗糙度的方法
[P].
成智国
论文数:
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成智国
;
耿文练
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耿文练
.
中国专利
:CN109062010A
,2018-12-21
[2]
一种具有低边缘粗糙度的ArF光刻胶
[P].
马潇
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马潇
;
陈鹏
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陈鹏
;
卢汉林
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卢汉林
;
夏力
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夏力
;
顾大公
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顾大公
;
岳力挽
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岳力挽
;
张宇
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张宇
;
陈阳
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陈阳
;
许从应
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许从应
;
毛智彪
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毛智彪
;
周浩杰
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周浩杰
.
中国专利
:CN114326305A
,2022-04-12
[3]
改善光刻线条粗糙度的方法
[P].
王岳
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
王岳
;
孙珊珊
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
孙珊珊
;
周红宇
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
周红宇
;
李海涛
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机构:
安徽晶微科技有限公司
安徽晶微科技有限公司
李海涛
.
中国专利
:CN120540010A
,2025-08-26
[4]
降低EUV光刻胶图案的线边缘粗糙度的方法
[P].
王新科
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应用材料公司
应用材料公司
王新科
;
沈泽青
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应用材料公司
应用材料公司
沈泽青
;
苏米特·辛格·罗伊
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应用材料公司
应用材料公司
苏米特·辛格·罗伊
;
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
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应用材料公司
应用材料公司
阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
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应用材料公司
应用材料公司
巴斯卡尔·乔蒂·布雅
;
唐杰丛
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应用材料公司
应用材料公司
唐杰丛
;
约翰·苏迪约诺
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应用材料公司
应用材料公司
约翰·苏迪约诺
;
马克·萨利
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
马克·萨利
.
美国专利
:CN119422226A
,2025-02-11
[5]
改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法
[P].
李亮
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李亮
;
沈忆华
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沈忆华
;
涂火金
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涂火金
;
宋化龙
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宋化龙
;
史运泽
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史运泽
.
中国专利
:CN102136415B
,2011-07-27
[6]
一种低边缘粗糙度的ArF光刻胶树脂及其制备方法
[P].
尹航
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宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
尹航
;
白千慧
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宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
白千慧
;
李培源
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
李培源
;
毛智彪
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
毛智彪
;
许从应
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机构:
宁波南大光电材料有限公司
宁波南大光电材料有限公司
许从应
.
中国专利
:CN119775481A
,2025-04-08
[7]
降低线条粗糙度的光刻方法
[P].
孟令款
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孟令款
;
贺晓彬
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贺晓彬
;
李春龙
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李春龙
.
中国专利
:CN103777466A
,2014-05-07
[8]
降低线条粗糙度的混合光刻方法
[P].
孟令款
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孟令款
;
李春龙
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李春龙
;
贺晓彬
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贺晓彬
;
李俊峰
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李俊峰
;
闫江
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0
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0
闫江
.
中国专利
:CN103676493B
,2014-03-26
[9]
减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法
[P].
张海洋
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张海洋
;
张城龙
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张城龙
.
中国专利
:CN104345568A
,2015-02-11
[10]
用于控制光刻胶线宽粗糙度的方法及设备
[P].
B·吴
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B·吴
;
A·库玛
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0
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0
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A·库玛
.
中国专利
:CN103180932A
,2013-06-26
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