用于减小光点缺陷和表面粗糙度的绝缘体上半导体晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480026992.3

申请日：

2014-03-14

公开(公告)号：

CN105431936B

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

Q·刘 J·L·利伯特

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20190926 变更事项:专利权人变更前权利人:太阳能爱迪生半导体有限公司变更后权利人:环球晶圆股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区工业东二路8号
2016-03-23	公开	公开
2018-07-13	授权	授权
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656296472 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014800269923 申请日:20140314

共 50 条

[1]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[2]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[3]

具有腔结构的绝缘体上半导体晶片 [P].

A·K·斯塔珀 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

B·W·波思 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

美国专利 :CN114256273B ,2025-09-19

[4]

具有腔结构的绝缘体上半导体晶片 [P].

A·K·斯塔珀 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

B·W·波思 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

中国专利 :CN114256273A ,2022-03-29

[5]

制造绝缘体上半导体的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107667416A ,2018-02-06

[6]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[7]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

[8]

用于制造绝缘体上半导体基板的方法 [P].

C·古德尔 ;

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN104798192A ,2015-07-22

[9]

形成绝缘体上半导体结构的方法 [P].

M·A·斯托克 .

中国专利 :CN101479651A ,2009-07-08

[10]

应变绝缘体上半导体材料的制造方法 [P].

德温德拉·K.·萨达纳 ;

乔尔·P.·德索扎 ;

斯蒂芬·W.·贝戴尔 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

基思·爱德华·弗格尔 ;

格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ;

托马斯·N.·亚当 .

中国专利 :CN101000884B ,2007-07-18

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