一种改善半导体鳍部表面粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810268443.7

申请日：

2018-03-29

公开(公告)号：

CN108550526A

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

曾绍海李铭

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/302 申请公布日:20180918
2018-09-18	公开	公开
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/302 申请日:20180329

共 50 条

[1]

一种测量半导体鳍部粗糙度的方法 [P].

曾绍海 ;

左青云 ;

李铭 ;

黄仁东 .

中国专利 :CN108550532B ,2018-09-18

[2]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[3]

一种半导体侧面粗糙度改善方法 [P].

郭振新 .

中国专利 :CN111599672A ,2020-08-28

[4]

改善钢管表面粗糙度的方法 [P].

曹献龙 ;

王焕新 ;

王世杰 .

中国专利 :CN111500963A ,2020-08-07

[5]

改善晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

E·阿雷纳 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879204B ,2006-12-13

[6]

减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法 [P].

维波·克里斯纳 ;

迈克尔·S·威斯尼斯基 ;

洛伊斯·伊利希 .

中国专利 :CN1117203A ,1996-02-21

[7]

改善光刻胶表面粗糙度的方法 [P].

成智国 ;

耿文练 .

中国专利 :CN109062010A ,2018-12-21

[8]

半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P].

刘晓明 .

中国专利 :CN113380617A ,2021-09-10

[9]

一种半导体模具表面粗糙度检测仪 [P].

陈卿义 .

中国专利 :CN220508013U ,2024-02-20

[10]

一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置 [P].

皮孝东 ;

钱怡潇 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN117607499A ,2024-02-27

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