一种半导体侧面处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010902560.1

申请日：

2020-09-01

公开(公告)号：

CN114107957A

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

胡咏兵

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

C23C1650

IPC分类号：

C23C1634 C23C1652 H01L2102

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体侧面粗糙度改善方法 [P].

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[2]

半导体的处理方法 [P].

黄德权 .

中国专利 :CN113345794A ,2021-09-03

[3]

处理半导体衬底的方法和装置 [P].

内德·莎玛 ;

理查德·怀斯 ;

游正义 ;

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美国专利 :CN118519315A ,2024-08-20

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

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[5]

半导体器件的制备方法和半导体器件 [P].

罗珉权 ;

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[6]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

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半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

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[8]

一种半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

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张旭志 ;

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李斌 ;

刘玉荣 ;

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[9]

形成半导体结构的方法 [P].

里亚·索梅斯赫瓦尔 ;

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西达斯·克里希南 ;

斯里尼瓦·甘迪科塔 ;

杰奎琳·S·阮奇 ;

杨逸雄 .

美国专利 :CN117616554A ,2024-02-27

[10]

半导体设备的清洁方法 [P].

高力 ;

张子涵 .

中国专利 :CN118969598A ,2024-11-15

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