形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280048889.3

申请日：

2022-07-13

公开(公告)号：

CN117616554A

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

里亚·索梅斯赫瓦尔赛沙德利·甘古利于澜西达斯·克里希南斯里尼瓦·甘迪科塔杰奎琳·S·阮奇杨逸雄

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/285 H01L21/768

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	公开	公开
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20220713

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

邓新莲 .

中国专利 :CN119372630A ,2025-01-28

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

黄世钧 ;

叶雅雯 ;

赖建文 ;

林纬良 ;

张雅惠 ;

严永松 ;

刘如淦 ;

林进祥 ;

沈育佃 .

中国专利 :CN109817517A ,2019-05-28

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

彭羽筠 .

中国专利 :CN110660640A ,2020-01-07

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

刘中伟 ;

柯宇伦 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110783271A ,2020-02-11

[6]

形成半导体结构的方法及半导体结构 [P].

洪政源 ;

田伟辰 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

吴以德 .

中国专利 :CN112582252A ,2021-03-30

[7]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[8]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

李昀昇 ;

杨芷欣 ;

张智杰 ;

王茂南 ;

王冠勋 ;

施养鑫 .

中国专利 :CN119421484A ,2025-02-11

[9]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

林杏芝 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN112151675A ,2020-12-29

[10]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03

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