半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811251230.X

申请日：

2018-10-25

公开(公告)号：

CN109817517A

公开(公告)日：

2019-05-28

发明(设计)人：

黄世钧叶雅雯赖建文林纬良张雅惠严永松刘如淦林进祥沈育佃

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21308

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/033 申请公布日:20190528
2019-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

邓新莲 .

中国专利 :CN119372630A ,2025-01-28

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

刘中伟 ;

柯宇伦 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110783271A ,2020-02-11

[3]

形成半导体结构的方法 [P].

里亚·索梅斯赫瓦尔 ;

赛沙德利·甘古利 ;

于澜 ;

西达斯·克里希南 ;

斯里尼瓦·甘迪科塔 ;

杰奎琳·S·阮奇 ;

杨逸雄 .

美国专利 :CN117616554A ,2024-02-27

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹晓东 ;

胡友存 .

中国专利 :CN108573912B ,2018-09-25

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

成国良 ;

张文广 ;

郑春生 ;

张华 .

中国专利 :CN112928164A ,2021-06-08

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

张书铭 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN120225039A ,2025-06-27

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN105826245A ,2016-08-03

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

陈广辉 .

中国专利 :CN110965022A ,2020-04-07

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