半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510011973.X

申请日：

2015-01-09

公开(公告)号：

CN105826245A

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

张海洋黄敬勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	公开	公开
2019-12-03	授权	授权
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676755924 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201510011973X 申请日:20150109

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN105702619A ,2016-06-22

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

朱宏亮 .

中国专利 :CN117912939A ,2024-04-19

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102738074A ,2012-10-17

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105719972A ,2016-06-29

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

胡春周 .

中国专利 :CN104425210A ,2015-03-18

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

吴紫阳 ;

文秉述 ;

郑又锡 .

中国专利 :CN103400762B ,2013-11-20

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102737984A ,2012-10-17

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN106206408A ,2016-12-07

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102737983B ,2012-10-17

[10]

半导体结构的形成方法、晶体管 [P].

郑二虎 ;

宋佳 .

中国专利 :CN112447510A ,2021-03-05

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