共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510215997.7
申请日：
2015-04-29
公开(公告)号：
CN106206408A
公开(公告)日：
2016-12-07
发明(设计)人：
张海洋
周俊卿
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
应战;吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-12-07 | 公开 | 公开 |
| 2020-12-25 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20201215 变更事项:专利权人 变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更后权利人:中芯南方集成电路制造有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 变更事项:专利权人 变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 2020-03-10 | 授权 | 授权 |
| 2017-01-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695179429 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015102159977 申请日:20150429 |