半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610079616.1

申请日：

2016-02-03

公开(公告)号：

CN107039335B

公开(公告)日：

2017-08-11

发明(设计)人：

张城龙洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101745810552 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2016100796161 申请日:20160203
2017-08-11	公开	公开
2019-09-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 ;

袁光杰 .

中国专利 :CN106409751A ,2017-02-15

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张璇 .

中国专利 :CN105575787A ,2016-05-11

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

姚达林 ;

何其暘 .

中国专利 :CN107039333B ,2017-08-11

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

纪世良 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN114512445A ,2022-05-17

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

崔元钧 .

中国专利 :CN114823293B ,2025-11-18

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

李勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106611788A ,2017-05-03

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

郑喆 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107731737A ,2018-02-23

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

李强 ;

苏波 .

中国专利 :CN113113349A ,2021-07-13

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

汪杰 ;

邢丽 ;

张建伟 ;

李家业 ;

赵亚豪 ;

马兴旺 ;

查泽奇 ;

纪宁 ;

时浩 ;

白湛铎 ;

徐锴 ;

王振辉 .

中国专利 :CN118629869A ,2024-09-10

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN105702619A ,2016-06-22

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