半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310365795.1

申请日：

2013-08-20

公开(公告)号：

CN104425210A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

胡春周

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605748504 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013103657951 申请日:20130820
2018-10-16	授权	授权
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN105826245A ,2016-08-03

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110164768B ,2019-08-23

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104752610B ,2015-07-01

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106298470A ,2017-01-04

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

陈琛 .

中国专利 :CN115706012A ,2023-02-17

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742182B ,2016-07-06

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113363145A ,2021-09-07

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

夏军 ;

白世杰 .

中国专利 :CN114496904A ,2022-05-13

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

夏军 ;

白世杰 .

中国专利 :CN114496904B ,2024-12-06

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

李勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106611788A ,2017-05-03

← 1 2 3 4 5 →