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半导体结构的形成方法
被引：0
申请号：
CN202110893404.8
申请日：
2021-08-04
公开(公告)号：
CN115706012A
公开(公告)日：
2023-02-17
发明(设计)人：
陈琛
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2102
H01L218234
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-02-17 | 公开 | 公开 |