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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110483903.X
申请日：
2021-04-30
公开(公告)号：
CN115274557B
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
王瑜杰
申请人：
中芯南方集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H10D84/83
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-29 | 授权 | 授权 |