半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410334107.X

申请日：

2014-07-14

公开(公告)号：

CN105336616B

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

禹国宾

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650129531 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201410334107X 申请日:20140714
2019-01-22	授权	授权
2020-03-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20200306 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯南方集成电路制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
2016-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

宋春 ;

刘良 .

中国专利 :CN119893996B ,2025-10-28

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 ;

王百钱 .

中国专利 :CN102931074A ,2013-02-13

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

宋春 ;

刘良 .

中国专利 :CN119893996A ,2025-04-25

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

戴俭 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

汪沛 ;

吕军军 .

中国专利 :CN120321997A ,2025-07-15

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

焦明洁 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN103594361A ,2014-02-19

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN106856191A ,2017-06-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

武咏琴 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN115472572A ,2022-12-13

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周鸿儒 ;

张志仲 ;

郭俊铭 ;

许哲源 ;

高珮玲 ;

廖晨瑄 .

中国专利 :CN113257817A ,2021-08-13

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张璇 .

中国专利 :CN105576024A ,2016-05-11

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN108962990A ,2018-12-07

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