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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311396938.5
申请日：
2023-10-25
公开(公告)号：
CN119893996B
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
宋春
刘良
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H10B41/35
IPC分类号：
H01L21/28
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-28 | 授权 | 授权 |
| 2025-05-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20231025 |