半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510518006.6

申请日：

2025-04-23

公开(公告)号：

CN120321997A

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

戴俭吴永玉陶然汪沛吕军军

申请人：

浙江创芯集成电路有限公司

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层（自主申报）

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/00 H10D30/65

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张雪彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250423
2025-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

吕相林 ;

杨永刚 ;

张静平 .

中国专利 :CN109103190B ,2018-12-28

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

吕相林 .

中国专利 :CN109148452A ,2019-01-04

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

吕相林 ;

杨永刚 ;

张静平 ;

夏余平 ;

宋冬门 ;

王二伟 ;

刘开源 ;

李君 .

中国专利 :CN109273454A ,2019-01-25

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090A ,2022-12-16

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

杨德明 .

中国专利 :CN120152372A ,2025-06-13

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090B ,2025-10-21

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

宋春 ;

刘良 .

中国专利 :CN119893996B ,2025-10-28

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

周鲁豪 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

王江红 ;

黄天哲 .

中国专利 :CN118248572B ,2025-06-24

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