半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311370496.7

申请日：

2023-10-20

公开(公告)号：

CN119894047A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

范义秋陈永强丁凤杨晗涂武涛

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20231020

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546A ,2024-12-13

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

张书铭 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN120225039A ,2025-06-27

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

杨忠博 ;

肖敬才 ;

何亚川 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN119894080A ,2025-04-25

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 ;

王百钱 .

中国专利 :CN102931074A ,2013-02-13

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328694B ,2017-01-11

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN104217938B ,2014-12-17

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068399B ,2025-06-24

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

滕巧 ;

吴永玉 ;

高大为 .

中国专利 :CN119521753A ,2025-02-25

← 1 2 3 4 5 →