半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010780187.7

申请日：

2020-08-05

公开(公告)号：

CN114068399B

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

陈建王胜王彦张海洋

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068399A ,2022-02-18

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546A ,2024-12-13

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

薛国标 ;

吴永玉 ;

周鲁豪 .

中国专利 :CN119495635A ,2025-02-21

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

杨忠博 ;

肖敬才 ;

何亚川 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN119894080A ,2025-04-25

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

吴汉洙 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114496792B ,2025-10-31

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

吴汉洙 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114496792A ,2022-05-13

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

白浩 ;

史晓明 .

中国专利 :CN120341115A ,2025-07-18

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546B ,2025-12-05

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

刘灵娟 ;

于明道 ;

张栋 ;

范晓 .

中国专利 :CN119894134A ,2025-04-25

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