半导体结构的形成方法

被引：0

申请号：

CN202011265509.0

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN114496792A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

苏博吴汉洙施雪捷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201112

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

吴汉洙 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114496792B ,2025-10-31

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

白浩 ;

史晓明 .

中国专利 :CN120341115A ,2025-07-18

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090A ,2022-12-16

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

杨德明 .

中国专利 :CN120152372A ,2025-06-13

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546A ,2024-12-13

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

薛立平 ;

段松汉 ;

齐翔羽 ;

佟宇鑫 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN114220815A ,2022-03-22

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090B ,2025-10-21

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

杨忠博 ;

肖敬才 ;

何亚川 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN119894080A ,2025-04-25

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