半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510096876.9

申请日：

2025-01-21

公开(公告)号：

CN119894080A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

杨忠博肖敬才何亚川黄鹏郭振强

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/85 H10D64/27

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李亚茹

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20250121

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546A ,2024-12-13

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068399B ,2025-06-24

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

吴汉洙 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114496792B ,2025-10-31

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068399A ,2022-02-18

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

吴汉洙 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN114496792A ,2022-05-13

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

白浩 ;

史晓明 .

中国专利 :CN120341115A ,2025-07-18

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546B ,2025-12-05

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

刘灵娟 ;

于明道 ;

张栋 ;

范晓 .

中国专利 :CN119894134A ,2025-04-25

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN104022034B ,2014-09-03

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