半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310063976.9

申请日：

2013-02-28

公开(公告)号：

CN104022034B

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

何其旸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-17	授权	授权
2014-09-03	公开	公开
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587261841 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013100639769 申请日:20130228

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN107170704A ,2017-09-15

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103839878B ,2014-06-04

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN105374675A ,2016-03-02

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN103606534B ,2014-02-26

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

何其暘 .

中国专利 :CN104425371B ,2015-03-18

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 ;

周梅生 .

中国专利 :CN103579074A ,2014-02-12

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