半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510098481.2

申请日：

2025-01-21

公开(公告)号：

CN119894134A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

刘灵娟于明道张栋范晓

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10F39/18

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李亚茹

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20250121

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952716B ,2015-09-30

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

成国良 .

中国专利 :CN114496907B ,2025-03-18

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105244322B ,2016-01-13

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

成国良 .

中国专利 :CN114496907A ,2022-05-13

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN104157562A ,2014-11-19

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

周苗 .

中国专利 :CN119136546A ,2024-12-13

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105097533A ,2015-11-25

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

杨忠博 ;

肖敬才 ;

何亚川 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN119894080A ,2025-04-25

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

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