半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011263291.5

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN114496907B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

成国良

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105244322B ,2016-01-13

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

成国良 .

中国专利 :CN114496907A ,2022-05-13

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952716B ,2015-09-30

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

刘灵娟 ;

于明道 ;

张栋 ;

范晓 .

中国专利 :CN119894134A ,2025-04-25

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN104157562A ,2014-11-19

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

成国良 .

中国专利 :CN114765127A ,2022-07-19

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

成国良 .

中国专利 :CN114765127B ,2024-12-24

[8]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

蔡方文 ;

陈奕伊 ;

吴振诚 ;

林志隆 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN100550316C ,2007-10-31

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 ;

洪中山 .

中国专利 :CN107706153B ,2018-02-16

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107706112A ,2018-02-16

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