半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610646956.8

申请日：

2016-08-09

公开(公告)号：

CN107706112A

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160809
2020-07-10	授权	授权
2018-02-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 ;

洪中山 .

中国专利 :CN107706153B ,2018-02-16

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107706111B ,2018-02-16

[3]

互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法 [P].

孙忠祥 ;

张文广 ;

张华 ;

成国良 ;

张旭 .

中国专利 :CN117712025A ,2024-03-15

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107799469B ,2018-03-13

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107799421A ,2018-03-13

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN104701166A ,2015-06-10

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952716B ,2015-09-30

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

张煜群 ;

李静宜 ;

李汝谅 .

中国专利 :CN113675220B ,2024-09-13

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

张煜群 ;

李静宜 ;

李汝谅 .

中国专利 :CN113675220A ,2021-11-19

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