半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610803203.3

申请日：

2016-09-05

公开(公告)号：

CN107799469B

公开(公告)日：

2018-03-13

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-13	公开	公开
2020-03-10	授权	授权
2018-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20160905

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

杜学东 ;

韦磊 ;

陈美丽 .

中国专利 :CN101996948A ,2011-03-30

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105826264B ,2016-08-03

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN104701166A ,2015-06-10

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

刘盼盼 ;

张海洋 .

中国专利 :CN113675091A ,2021-11-19

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪波 ;

张帅 .

中国专利 :CN108022970A ,2018-05-11

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

刘盼盼 ;

张海洋 .

中国专利 :CN113675091B ,2024-06-25

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐屹东 ;

张超 ;

许乐 ;

陈林 ;

付文 .

中国专利 :CN114864614A ,2022-08-05

[9]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 ;

洪中山 .

中国专利 :CN107706153B ,2018-02-16

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