半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910056625.9

申请日：

2009-08-18

公开(公告)号：

CN101996948A

公开(公告)日：

2011-03-30

发明(设计)人：

杜学东韦磊陈美丽

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21311 G03F742

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-12	授权	授权
2011-03-30	公开	公开
2011-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101071489146 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2009100566259 申请日:20090818

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107799469B ,2018-03-13

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105826264B ,2016-08-03

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

刘盼盼 ;

张海洋 .

中国专利 :CN113675091A ,2021-11-19

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪波 ;

张帅 .

中国专利 :CN108022970A ,2018-05-11

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

刘盼盼 ;

张海洋 .

中国专利 :CN113675091B ,2024-06-25

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

徐屹东 ;

张超 ;

许乐 ;

陈林 ;

付文 .

中国专利 :CN114864614A ,2022-08-05

[7]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094192A ,2013-05-08

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN104517843A ,2015-04-15

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

王冬江 ;

张翼英 ;

张海洋 .

中国专利 :CN104124150A ,2014-10-29

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