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互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211085360.7
申请日：
2022-09-06
公开(公告)号：
CN117712025A
公开(公告)日：
2024-03-15
发明(设计)人：
孙忠祥
张文广
张华
成国良
张旭
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址：
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L23/48
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
张亚静
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-15 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20220906 |