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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110747971.2
申请日：
2021-07-02
公开(公告)号：
CN113675220A
公开(公告)日：
2021-11-19
发明(设计)人：
郑有宏
张煜群
李静宜
李汝谅
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L21762
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20210702 |
| 2021-11-19 | 公开 | 公开 |