半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110206627.9

申请日：

2011-07-22

公开(公告)号：

CN102347229A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

高旻圣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L218247 H01L29423 H01L27115

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

郭放;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101405918769 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2011102066279 申请日:20110722
2012-02-08	公开	公开
2015-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101717246775 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2011102066279 申请公布日:20120208

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

张煜群 ;

李静宜 ;

李汝谅 .

中国专利 :CN113675220B ,2024-09-13

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

张煜群 ;

李静宜 ;

李汝谅 .

中国专利 :CN113675220A ,2021-11-19

[4]

半导体器件形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104241108A ,2014-12-24

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈卓凡 .

中国专利 :CN108735807B ,2018-11-02

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109980003B ,2019-07-05

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

钱仕兵 .

中国专利 :CN112582414B ,2021-03-30

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王潇 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN109935548B ,2019-06-25

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