半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311817513.7

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN120225039A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

张书铭彭泰彦许开东

申请人：

江苏鲁汶仪器股份有限公司

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20231226

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

吴紫阳 ;

文秉述 ;

郑又锡 .

中国专利 :CN103400762B ,2013-11-20

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 ;

夏文斌 ;

张宏 ;

王能语 ;

李德涛 .

中国专利 :CN113838883A ,2021-12-24

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘昂 .

中国专利 :CN112908936A ,2021-06-04

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

范义秋 ;

陈永强 ;

丁凤 ;

杨晗 ;

涂武涛 .

中国专利 :CN119894047A ,2025-04-25

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN104217938B ,2014-12-17

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102738074A ,2012-10-17

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 ;

周梅生 .

中国专利 :CN103579074A ,2014-02-12

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

杨国文 ;

唐松 .

中国专利 :CN112736026B ,2021-04-30

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

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