半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110039309.1

申请日：

2021-01-12

公开(公告)号：

CN112736026B

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

杨国文唐松

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L213065 H01L21311 H01L2102

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

孙海杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210112
2022-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张书铭 ;

彭泰彦 ;

许开东 .

中国专利 :CN120225039A ,2025-06-27

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102738074A ,2012-10-17

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

吴紫阳 ;

文秉述 ;

郑又锡 .

中国专利 :CN103400762B ,2013-11-20

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102737984A ,2012-10-17

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

邱达燕 .

中国专利 :CN102737983B ,2012-10-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN108389796A ,2018-08-10

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN108962990A ,2018-12-07

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 ;

林益世 .

中国专利 :CN109037068A ,2018-12-18

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

宋春 ;

刘良 .

中国专利 :CN119893996B ,2025-10-28

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