半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710063795.4

申请日：

2017-02-03

公开(公告)号：

CN108389796A

公开(公告)日：

2018-08-10

发明(设计)人：

张海洋王彦蒋鑫

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21033 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	公开	公开
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/308 申请公布日:20180810
2018-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20170203

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

锺明慈 ;

林咏淇 ;

蔡延佐 ;

薛仰志 .

中国专利 :CN120015632A ,2025-05-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN108962990A ,2018-12-07

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 .

中国专利 :CN115132701B ,2025-03-18

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈建 ;

王胜 ;

王彦 .

中国专利 :CN115132701A ,2022-09-30

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 ;

林益世 .

中国专利 :CN109037068A ,2018-12-18

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

石梦 ;

孙武 ;

韩宝东 ;

阎海涛 .

中国专利 :CN111627859A ,2020-09-04

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

王英明 ;

涂武涛 ;

陈天锐 ;

张辰睿 .

中国专利 :CN117747633A ,2024-03-22

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 ;

周鸣 .

中国专利 :CN109309005B ,2019-02-05

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

徐汉东 ;

朴仁镐 ;

谈亚丽 ;

脱穷 ;

王朝辉 .

中国专利 :CN119008416A ,2024-11-22

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

戚德奎 .

中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09

← 1 2 3 4 5 →