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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310546554.0
申请日：
2023-05-12
公开(公告)号：
CN119008416A
公开(公告)日：
2024-11-22
发明(设计)人：
薛兴坤
李泽伦
徐汉东
朴仁镐
谈亚丽
脱穷
王朝辉
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/46
IPC分类号：
H01L21/477
H01L21/423
H01L29/78
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/46申请日:20230512 |
| 2024-11-22 | 公开 | 公开 |