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半导体结构及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710622580.1
申请日
:
2017-07-27
公开(公告)号
:
CN109309005B
公开(公告)日
:
2019-02-05
发明(设计)人
:
李勇
周鸣
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
吴敏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170727
2022-03-22
授权
授权
2019-02-05
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法
[P].
陈建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
陈建
;
王胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王胜
;
王彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王彦
.
中国专利
:CN115132701B
,2025-03-18
[2]
半导体结构及其形成方法
[P].
陈建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈建
;
王胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王胜
;
王彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王彦
.
中国专利
:CN115132701A
,2022-09-30
[3]
半导体结构及其形成方法
[P].
成国良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
成国良
;
张文广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张文广
;
郑春生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑春生
;
张华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张华
.
中国专利
:CN112928164A
,2021-06-08
[4]
半导体结构及其形成方法
[P].
戚德奎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
戚德奎
.
中国专利
:CN108630713A
,2018-10-09
[5]
半导体结构及其形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
赵猛
.
中国专利
:CN111725067B
,2025-03-25
[6]
半导体结构及其形成方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN112309862A
,2021-02-02
[7]
半导体结构及其形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
赵猛
.
中国专利
:CN111725313B
,2024-06-25
[8]
半导体结构及其形成方法
[P].
王楠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王楠
.
中国专利
:CN110718465A
,2020-01-21
[9]
半导体结构及其形成方法
[P].
王楠
论文数:
0
引用数:
0
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0
王楠
;
应战
论文数:
0
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0
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0
应战
.
中国专利
:CN111463275A
,2020-07-28
[10]
半导体结构及其形成方法
[P].
何有丰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何有丰
.
中国专利
:CN110233134B
,2019-09-13
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