半导体结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710622580.1
申请日
2017-07-27
公开(公告)号
CN109309005B
公开(公告)日
2019-02-05
发明(设计)人
李勇 周鸣
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈建 ;
王胜 ;
王彦 .
中国专利 :CN115132701B ,2025-03-18
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈建 ;
王胜 ;
王彦 .
中国专利 :CN115132701A ,2022-09-30
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
成国良 ;
张文广 ;
郑春生 ;
张华 .
中国专利 :CN112928164A ,2021-06-08
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
戚德奎 .
中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN111725067B ,2025-03-25
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN112309862A ,2021-02-02
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN111725313B ,2024-06-25
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半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN110718465A ,2020-01-21
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半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 ;
应战 .
中国专利 :CN111463275A ,2020-07-28
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半导体结构及其形成方法 [P]. 
何有丰 .
中国专利 :CN110233134B ,2019-09-13