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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911236067.4
申请日：
2019-12-05
公开(公告)号：
CN112928164A
公开(公告)日：
2021-06-08
发明(设计)人：
成国良 张文广 郑春生 张华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336 H01L21205
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-08 公开 公开
2021-06-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191205
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
宋雷 .
中国专利 :CN105789038A ,2016-07-20
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN110718465A ,2020-01-21
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109860291B ,2019-06-07
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
魏兰英 .
中国专利 :CN113053816B ,2021-06-29
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
潘佳琪 ;
刘畅 .
中国专利 :CN120475757A ,2025-08-12
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109841525A ,2019-06-04
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李勇 ;
周鸣 .
中国专利 :CN109309005B ,2019-02-05
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
谢宛蓁 ;
吴振诚 ;
郭玳榕 .
中国专利 :CN118712137A ,2024-09-27
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
纪世良 ;
肖杏宇 ;
张海洋 .
中国专利 :CN114068704B ,2024-03-22
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
崔明 .
中国专利 :CN113540236A ,2021-10-22
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