半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411469132.9

申请日：

2024-10-21

公开(公告)号：

CN119486245A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

潘思行何军郭锡瑜

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83 H01L23/66 B82Y10/00 B82Y40/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20241021
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑咏世 .

中国专利 :CN119486244A ,2025-02-18

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

古尔巴格·辛格 ;

庄坤苍 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113053884B ,2024-12-24

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄腾 .

中国专利 :CN110660673A ,2020-01-07

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘怡伶 ;

萧琮介 ;

王良玮 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN119451202A ,2025-02-14

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

古尔巴格·辛格 ;

庄坤苍 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113053884A ,2021-06-29

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

江宏礼 ;

李宗恩 ;

王哲夫 ;

郑兆钦 ;

拉杜·安娜 ;

庄正吉 ;

张智胜 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119230596A ,2024-12-31

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

徐汉东 ;

朴仁镐 ;

谈亚丽 ;

脱穷 ;

王朝辉 .

中国专利 :CN119008416A ,2024-11-22

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

戚德奎 .

中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

杨丰诚 ;

林仲德 .

中国专利 :CN114883268A ,2022-08-09

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

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