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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110179672.3
申请日：
2021-02-07
公开(公告)号：
CN113053884A
公开(公告)日：
2021-06-29
发明(设计)人：
古尔巴格·辛格
庄坤苍
王柏仁
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L218234
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-29 | 公开 | 公开 |
| 2021-07-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20210207 |