半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810971354.9

申请日：

2018-08-24

公开(公告)号：

CN109103190B

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

吕相林杨永刚张静平

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L271157 H01L2711582

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

董琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20180824
2018-12-28	公开	公开
2020-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

吕相林 ;

杨永刚 ;

张静平 ;

夏余平 ;

宋冬门 ;

王二伟 ;

刘开源 ;

李君 .

中国专利 :CN109273454A ,2019-01-25

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

吕相林 .

中国专利 :CN109148452A ,2019-01-04

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

林益梅 .

中国专利 :CN103367261B ,2013-10-23

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

戴俭 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

汪沛 ;

吕军军 .

中国专利 :CN120321997A ,2025-07-15

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090A ,2022-12-16

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

刘莎莎 ;

徐丰 ;

黄鹏 ;

杨德明 .

中国专利 :CN120152372A ,2025-06-13

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

毛刚 ;

俞少峰 ;

陈林林 ;

杨正睿 ;

虞肖鹏 .

中国专利 :CN105097532A ,2015-11-25

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483090B ,2025-10-21

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

郗宁 .

中国专利 :CN110880455A ,2020-03-13

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

吴轶超 .

中国专利 :CN117672829A ,2024-03-08

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