半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811038105.0

申请日：

2018-09-06

公开(公告)号：

CN110880455A

公开(公告)日：

2020-03-13

发明(设计)人：

郗宁

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L21768 H01L218242

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

袁礼君;阚梓瑄

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20180906
2020-03-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

张东雪 ;

林格伟 .

中国专利 :CN113053805B ,2021-06-29

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104124210A ,2014-10-29

[3]

栅极结构及形成方法、半导体结构及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103378134A ,2013-10-30

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

黄怡 ;

李超伟 .

中国专利 :CN102800699A ,2012-11-28

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄娟娟 ;

白杰 .

中国专利 :CN113675142A ,2021-11-19

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴晗 .

中国专利 :CN113517289A ,2021-10-19

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨波 .

中国专利 :CN112864096B ,2021-05-28

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴晗 .

中国专利 :CN113517289B ,2024-02-09

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

占康澍 ;

宛强 ;

徐朋辉 ;

刘涛 ;

李森 ;

夏军 .

中国专利 :CN115020408A ,2022-09-06

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

陆勇 .

中国专利 :CN113517288A ,2021-10-19

← 1 2 3 4 5 →