多位元垂直存储单元及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03155808.9

申请日：

2003-08-22

公开(公告)号：

CN1585111A

公开(公告)日：

2005-02-23

发明(设计)人：

萧清南赖朝松黄永孟

申请人：

申请人地址：

台湾省桃园县

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L218234 H01L2710

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-02-23	公开	公开
2007-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

多位存储单元及其制造方法 [P].

赖二琨 .

中国专利 :CN1466193A ,2004-01-07

[2]

多位存储单元结构及其制造方法 [P].

金广铨 .

中国专利 :CN101459128A ,2009-06-17

[3]

多位存储单元及其制造方法及其操作方法 [P].

郑湘原 .

中国专利 :CN1291485C ,2004-07-28

[4]

存储单元及其制造方法 [P].

木岛健 ;

井上聪 .

中国专利 :CN1707795A ,2005-12-14

[5]

快闪存储单元及其制造方法 [P].

潘立阳 ;

朱钧 .

中国专利 :CN1387263A ,2002-12-25

[6]

存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P].

黄猛 .

中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18

[7]

存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14

[8]

DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P].

申靖浩 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

殷华湘 .

中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03

[9]

存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P].

黄猛 .

中国专利 :CN119486100B ,2025-10-14

[10]

存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P].

李晓杰 .

中国专利 :CN119451093B ,2025-10-14

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