晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310006415.5

申请日：

2013-01-08

公开(公告)号：

CN103915323B

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

王冬江李凤莲王新鹏张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584238239 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013100064155 申请日:20130108
2016-08-31	授权	授权
2014-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06

[2]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102479722A ,2012-05-30

[3]

晶体管的制作方法 [P].

康芸 ;

李敏 .

中国专利 :CN102479716A ,2012-05-30

[4]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930922B ,2010-12-29

[5]

MOS晶体管的制作方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN103794503A ,2014-05-14

[6]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29

[7]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN103871968A ,2014-06-18

[8]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[9]

MOS晶体管的制作方法 [P].

隋运奇 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN103681324A ,2014-03-26

[10]

双极晶体管的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063162A ,2018-05-22

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