交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510726561.4

申请日：

2015-10-30

公开(公告)号：

CN105529344A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

肖荣福郭一民陈峻

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层

IPC主分类号：

H01L2722

IPC分类号：

H01L4308

代理机构：

上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287

代理人：

于晓菁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	公开	公开
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662102730 IPC(主分类):H01L 27/22 专利申请号:2015107265614 申请日:20151030
2020-01-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/22 申请公布日:20160427

共 50 条

[1]

交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105470385A ,2016-04-06

[2]

交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105514262A ,2016-04-20

[3]

交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105470275B ,2016-04-06

[4]

超密型交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105655481A ,2016-06-08

[5]

交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105448320B ,2016-03-30

[6]

交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105449099A ,2016-03-30

[7]

交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105405860A ,2016-03-16

[8]

交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN105405859A ,2016-03-16

[9]

磁性随机存储器单元阵列及其制造方法 [P].

钱沐琦 .

中国专利 :CN115411062A ,2022-11-29

[10]

磁性随机存储器 [P].

平尔萱 ;

朱一明 .

中国专利 :CN209658179U ,2019-11-19

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