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磁性随机存储器单元阵列及其制造方法

被引：0
申请号：
CN202110597072.9
申请日：
2021-05-28
公开(公告)号：
CN115411062A
公开(公告)日：
2022-11-29
发明(设计)人：
钱沐琦
申请人：
申请人地址：
311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
IPC主分类号：
H01L2722
IPC分类号：
H01L4308 H01L4312
代理机构：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667
代理人：
孙峰芳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-29 公开 公开
2022-12-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20210528
共 50 条
[1]
一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法 [P]. 
肖荣福 ;
张云森 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN109545745A ,2019-03-29
[2]
交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN105529344A ,2016-04-27
[3]
交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN105470385A ,2016-04-06
[4]
交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN105514262A ,2016-04-20
[5]
交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 [P]. 
肖荣福 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN105470275B ,2016-04-06
[6]
磁性随机存储器架构及其制造方法 [P]. 
戴瑾 ;
吴关平 .
中国专利 :CN114203897A ,2022-03-18
[7]
磁性随机存储器架构及其制造方法 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN112349322A ,2021-02-09
[8]
一种制作磁性随机存储器单元阵列的方法 [P]. 
郭一民 ;
张云森 ;
肖荣福 ;
陈峻 .
中国专利 :CN111613719A ,2020-09-01
[9]
磁性随机存储器及其读写方法 [P]. 
吴巍 ;
徐征 .
中国专利 :CN113555046A ,2021-10-26
[10]
磁性随机存储器及其读写方法 [P]. 
吴巍 ;
徐征 .
中国专利 :CN113555046B ,2025-01-03
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