LED外延层生长方法及通过此方法获得的LED芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510737049.X

申请日：

2015-11-03

公开(公告)号：

CN105390574A

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

刘为刚曾莹

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3300 C30B2940 C30B2502

代理机构：

北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442

代理人：

马佑平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	授权	授权
2016-03-09	公开	公开
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653692335 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:201510737049X 申请日:20151103

共 50 条

[1]

LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片 [P].

牛凤娟 ;

林传强 ;

苗振林 .

中国专利 :CN103413872B ,2013-11-27

[2]

LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103413879A ,2013-11-27

[3]

LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片 [P].

林传强 ;

苗振林 ;

王新建 .

中国专利 :CN103413871B ,2013-11-27

[4]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

农明涛 .

中国专利 :CN103996759A ,2014-08-20

[5]

LED外延层生长方法及LED外延层 [P].

张宇 ;

林传强 ;

农民涛 ;

周佐华 .

中国专利 :CN103952684B ,2014-07-30

[6]

LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片 [P].

农明涛 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

徐平 .

中国专利 :CN105098005B ,2015-11-25

[7]

GaN层生长方法及所得LED外延层和LED芯片 [P].

封智强 .

中国专利 :CN105070652A ,2015-11-18

[8]

LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片 [P].

郭嘉杰 ;

苏军 ;

徐迪 .

中国专利 :CN105118904B ,2015-12-02

[9]

提高LED芯片抗静电性能的外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN105932115A ,2016-09-07

[10]

LED外延层及其电流扩展层的生长方法、LED芯片 [P].

周毅 ;

黄嘉宏 ;

黄国栋 ;

杨顺贵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN113451451B ,2021-09-28

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