提高LED芯片抗静电性能的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610286428.6

申请日：

2016-05-03

公开(公告)号：

CN105932115A

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

林传强

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3302 H01L3314

代理机构：

北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442

代理人：

马佑平

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20160907
2016-09-07	公开	公开
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681316806 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016102864286 申请日:20160503

共 50 条

[1]

改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法 [P].

农明涛 ;

徐平 .

中国专利 :CN106409996A ,2017-02-15

[2]

提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103413880B ,2013-11-27

[3]

一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法 [P].

农明涛 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

周佐华 .

中国专利 :CN105296948A ,2016-02-03

[4]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770B ,2024-05-14

[5]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770A ,2021-04-20

[6]

一种LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111261755B ,2020-06-09

[7]

LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103413879A ,2013-11-27

[8]

一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法 [P].

王晓波 .

中国专利 :CN103872197A ,2014-06-18

[9]

LED外延层生长方法及通过此方法获得的LED芯片 [P].

刘为刚 ;

曾莹 .

中国专利 :CN105390574A ,2016-03-09

[10]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

← 1 2 3 4 5 →