一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410105466.8

申请日：

2014-03-20

公开(公告)号：

CN103872197A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

王晓波

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

胡乐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-11	授权	授权
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20140320 授权公告日:20170711 终止日期:20210320
2014-06-18	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583760476 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2014101054668 申请日:20140320

共 50 条

[1]

一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构 [P].

潘超 ;

杨辉 ;

徐东 ;

倪瑞 .

中国专利 :CN114613889A ,2022-06-10

[2]

一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构 [P].

展望 ;

芦玲 ;

刘康 ;

张雷城 ;

吕腾飞 ;

潘超 ;

杨辉 ;

徐东 ;

倪瑞 .

中国专利 :CN115084325A ,2022-09-20

[3]

具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法 [P].

王小兰 ;

袁旭 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

高江东 ;

潘拴 .

中国专利 :CN112234125A ,2021-01-15

[4]

一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法 [P].

杨奎 ;

吴礼清 ;

郭丽彬 ;

李刚 ;

牛勇 .

中国专利 :CN103258927A ,2013-08-21

[5]

一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法 [P].

何清华 ;

田艳 .

中国专利 :CN101071836A ,2007-11-14

[6]

一种增强器件抗静电能力的LED 外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN106531852A ,2017-03-22

[7]

一种增强器件抗静电能力的LED外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

徐平 .

中国专利 :CN105070653A ,2015-11-18

[8]

提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103413880B ,2013-11-27

[9]

一种提高Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体LED芯片抗静电能力的外延生长方法 [P].

肖云飞 .

中国专利 :CN103824910A ,2014-05-28

[10]

提高抗静电能力的LED生长方法 [P].

徐平 ;

余涛 .

中国专利 :CN106206882A ,2016-12-07

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